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STI24N60M2

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STI24N60M2
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    STI24N60M2.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    I2PAK
  • Séries
    MDmesh™ II Plus
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 9A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    150W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Autres noms
    497-13775-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1060pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    18A (Tc)

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RWR80SR931FRRSL

RWR80SR931FRRSL

La description: RES 0.931 OHM 2W 1% WW AXIAL

Fabricant: Dale / Vishay
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