STH185N10F3-6

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Spécifications

Modèle de produit

STH185N10F3-6
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STH185N10F3-6.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

H2PAK-6
Séries

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)

315W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Autres noms

497-15469-6
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6665pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

114.6nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

180A (Tc)

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STH240N10F7-2

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