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STGW80H65DFB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STGW80H65DFB
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    STGW80H65DFB.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    650V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 80A
  • Condition de test
    400V, 80A, 10 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    84ns/280ns
  • énergie de commutation
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-247
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    85ns
  • Puissance - Max
    469W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    497-14368
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • gate charge
    414nC
  • Description détaillée
    IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    240A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    120A

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