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STGW80H65DFB

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Spécifications

Modèle de produit

STGW80H65DFB
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGW80H65DFB.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A
Condition de test

400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

84ns/280ns
énergie de commutation

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Package composant fournisseur

TO-247
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

85ns
Puissance - Max

469W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-14368
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

414nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

240A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

120A

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STGW80H65DFB-4

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Fabricant: STMicroelectronics

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