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STGW10M65DF2

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Spécifications

Modèle de produit

STGW10M65DF2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGW10M65DF2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A
Condition de test

400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

19ns/91ns
énergie de commutation

120µJ (on), 270µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-247
Séries

M
Temps de recouvrement inverse (trr)

96ns
Puissance - Max

115W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-16969
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

28nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

40A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

20A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "STGW10M65DF2".

STGW19NC60WD

La description: IGBT 600V 42A 125W TO247

Fabricant: STMicroelectronics

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