STGP15M65DF2

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Spécifications

Modèle de produit

STGP15M65DF2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGP15M65DF2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A
Condition de test

400V, 15A, 12 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

24ns/93ns
énergie de commutation

90µJ (on), 450µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

142ns
Puissance - Max

136W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-16482-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

45nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

60A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

30A

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Ce qui suit est des produits liés à "STGP15M65DF2".

STGP19NC60SD

La description: IGBT 600V 40A 130W TO220

Fabricant: STMicroelectronics

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