STGB6M65DF2

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Spécifications

Modèle de produit

STGB6M65DF2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGB6M65DF2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A
Condition de test

400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

15ns/90ns
énergie de commutation

36µJ (on), 200µJ (off)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

M
Temps de recouvrement inverse (trr)

140ns
Puissance - Max

88W
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

21.2nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

24A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

12A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "STGB6M65DF2".

STGB3NB60KDT4

La description: IGBT 600V 10A 50W D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

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