STGB30M65DF2

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Spécifications

Modèle de produit

STGB30M65DF2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGB30M65DF2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A
Condition de test

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

31.6ns/115ns
énergie de commutation

300µJ (on), 960µJ (off)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

140ns
Puissance - Max

258W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

497-15843-1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

80nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

120A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

60A

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "STGB30M65DF2".

STGB30NC60WT4

La description: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

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