STFI4N62K3

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Spécifications

Modèle de produit

STFI4N62K3
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STFI4N62K3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAKFP (TO-281)
Séries

SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 1.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

25W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Autres noms

497-13268-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

620V
Description détaillée

N-Channel 620V 3.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.8A (Tc)

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STFI31N65M5

La description: MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP

Fabricant: STMicroelectronics

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