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STFI15N65M5

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STFI15N65M5
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    I2PAKFP (TO-281)
  • Séries
    MDmesh™ V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    340 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    30W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-262-3 Full Pack, I²Pak
  • Autres noms
    497-13161
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    816pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 11A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    11A (Tc)
NCP1117DT18T5G

NCP1117DT18T5G

La description: IC REG LINEAR 1.8V 1A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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