STFI10N65K3

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Spécifications

Modèle de produit

STFI10N65K3
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STFI10N65K3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAKFP (TO-281)
Séries

SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 3.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

35W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Autres noms

497-13578-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

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STFI10N62K3

La description: MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP

Fabricant: STMicroelectronics

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