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STF10N60DM2

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STF10N60DM2
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.STF10N60DM2.pdf
    2.STF10N60DM2.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220FP
  • Séries
    MDmesh™ DM2
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    530 mOhm @ 4A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    25W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3 Full Pack
  • Autres noms
    497-16959
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    529pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    8A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STF10N60DM2".
S29GL128P90TFCR23

S29GL128P90TFCR23

La description: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

Fabricant: Cypress Semiconductor
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