STD8NM60ND

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Spécifications

Modèle de produit

STD8NM60ND
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STD8NM60ND.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

70W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-8775-2
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7A (Tc)

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