STD60NF55LT4

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Spécifications

Modèle de produit

STD60NF55LT4
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STD60NF55LT4.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

100W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-15669-6
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

N-Channel 55V 60A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

60A (Tc)

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STD65N55LF3

La description: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics

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