STD4NK80Z-1

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Spécifications

Modèle de produit

STD4NK80Z-1
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STD4NK80Z-1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

80W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms

497-12560-5
STD4NK80Z-1-ND
STD4NK80Z1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

575pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 3A (Tc) 80W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Tc)

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