STD27N3LH5

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Spécifications

Modèle de produit

STD27N3LH5
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STD27N3LH5.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±22V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

STripFET™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

30W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-10019-2
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 27A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

27A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STD27N3LH5".

STD25P03LT4G

La description: MOSFET P-CH 30V DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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