STD19N3LLH6AG

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Spécifications

Modèle de produit

STD19N3LLH6AG
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.STD19N3LLH6AG.pdf
2.STD19N3LLH6AG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

30W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-16512-6
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

321pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 10A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

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STD1802T4

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Fabricant: ST

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