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STD155N3LH6

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STD155N3LH6
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D2PAK
  • Séries
    DeepGATE™, STripFET™ VI
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 mOhm @ 40A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    110W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    497-11308-1
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3800pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    80A (Tc)
49FCT3805SOGI

49FCT3805SOGI

La description: IC CLOCK BUFFER 1:5 20SOIC

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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