STB4NK60Z-1

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Spécifications

Modèle de produit

STB4NK60Z-1
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB4NK60Z-1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAK
Séries

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

70W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Tc)

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