STB25NM60N

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Spécifications

Modèle de produit

STB25NM60N
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB25NM60N.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

160W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

497-5003-1
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

21A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STB25NM60N".

STB25NM50N-1

La description: MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

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