STB200N4F3

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Spécifications

Modèle de produit

STB200N4F3
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB200N4F3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

120A (Tc)

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