STB100NH02LT4

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Spécifications

Modèle de produit

STB100NH02LT4
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB100NH02LT4.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

100W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

24V
Description détaillée

N-Channel 24V 60A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

60A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "STB100NH02LT4".

STB100NF04T4

La description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

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