SCT50N120

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Spécifications

Modèle de produit

SCT50N120
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.SCT50N120.pdf
2.SCT50N120.pdf
3.SCT50N120.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
La technologie

SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur

HiP247™
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

69 mOhm @ 40A, 20V
Dissipation de puissance (max)

318W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-16598-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 20V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

20V
Tension drain-source (Vdss)

1200V
Description détaillée

N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

65A (Tc)

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livraison
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SCT500-4/0

La description: CONN T-SPLICE TAP 500MCM-4/0AWG

Fabricant: Panduit

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