SCT10N120

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Spécifications

Modèle de produit

SCT10N120
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.SCT10N120.pdf
2.SCT10N120.pdf
3.SCT10N120.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

+25V, -10V
La technologie

SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur

HiP247™
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

690 mOhm @ 6A, 20V
Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-16597-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 20V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

20V
Tension drain-source (Vdss)

1200V
Description détaillée

N-Channel 1200V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "SCT10N120".

SCT20N120

La description: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

Fabricant: STMicroelectronics

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