MJE802

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Spécifications

Modèle de produit

MJE802
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MJE802.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A
Transistor Type

NPN - Darlington
Package composant fournisseur

SOT-32
Séries

-
Puissance - Max

40W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-225AA, TO-126-3
Autres noms

497-2549-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole SOT-32
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

4A
Numéro de pièce de base

MJE802

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MJE703

La description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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