MJD112T4

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Spécifications

Modèle de produit

MJD112T4
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MJD112T4.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A
Transistor Type

NPN - Darlington
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Puissance - Max

20W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-2462-1
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

25MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 20W Surface Mount DPAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

20µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

2A
Numéro de pièce de base

MJD112

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Ce qui suit est des produits liés à "MJD112T4".

MJD117T4G

La description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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