MD2009DFX

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Spécifications

Modèle de produit

MD2009DFX
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MD2009DFX.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

700V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2.8V @ 1.4A, 5.5A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

ISOWATT-218FX
Séries

-
Puissance - Max

58W
Emballage

Tube
Package / Boîte

ISOWATT218FX
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 10A 58W Through Hole ISOWATT-218FX
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 5.5A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

200µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

10A

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Ce qui suit est des produits liés à "MD2009DFX".

MD2009DFP

La description: TRANS NPN 700V 10A TO-220FP

Fabricant: STMicroelectronics

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