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IRFP250

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Spécifications

Modèle de produit

IRFP250
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRFP250.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247-3
Séries

PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max)

180W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-2639-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

158nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 33A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

33A (Tc)

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IRFP260MPBF

La description:

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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