IRF820

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Spécifications

Modèle de produit

IRF820
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRF820.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

80W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-2733-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Tc)

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IRF8010STRLPBF

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Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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