IRF640

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Spécifications

Modèle de produit

IRF640
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF640.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

MESH OVERLAY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-2759-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18A (Tc)

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IRF640NLPBF

La description:

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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