IRF634

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Spécifications

Modèle de produit

IRF634
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF634.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

MESH OVERLAY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

80W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

IRF634ST
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

51.8nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

250V
Description détaillée

N-Channel 250V 8A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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IRF630S

La description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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