IRF630FP

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Spécifications

Modèle de produit

IRF630FP
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF630FP.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220FP
Séries

MESH OVERLAY™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

30W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Autres noms

497-12489-5
IRF630FP-ND
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 9A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "IRF630FP".

IRF630BTSTU_FP001

La description: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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