BUR51

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Spécifications

Modèle de produit

BUR51
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

TRANS NPN 200V 60A TO-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BUR51.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

200V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 5A, 50A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-3
Séries

-
Puissance - Max

350W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-204AA, TO-3
Autres noms

497-2633-5
Température de fonctionnement

200°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

16MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 60A 16MHz 350W Chassis Mount TO-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

60A

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "BUR51".

FJYF2906TF

La description: TRANS PNP 40V 0.15A SOT563F

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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