BD536

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Spécifications

Modèle de produit

BD536
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BD536.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 600mA, 6A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Puissance - Max

50W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-7173-5
BD536-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 8A 50W Through Hole TO-220AB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 2A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

8A
Numéro de pièce de base

BD536

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Ce qui suit est des produits liés à "BD536".

BD5355G-TR

La description: IC DETECTOR VOLT 5.5V CMOS 5SSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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