BD434

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Spécifications

Modèle de produit

BD434
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BD434.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

22V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

SOT-32-3
Séries

-
Puissance - Max

36W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-225AA, TO-126-3
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

3MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 22V 4A 3MHz 36W Through Hole SOT-32-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

4A
Numéro de pièce de base

BD434

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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BD433M2WEFJ-CE2

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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