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Spécifications

Modèle de produit

2SD882
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SD882.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.1V @ 150mA, 3A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

SOT-32 (TO-126)
Séries

-
Puissance - Max

12.5W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-225AA, TO-126-3
Autres noms

497-4821-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

100MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 100MHz 12.5W Through Hole SOT-32 (TO-126)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

3A

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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2SD315AI

La description: GATE DRIVER CORE SCALE-1 1700V

Fabricant: Power Integrations

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