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UP01213G0L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UP01213G0L
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SSMini5-F3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms
  • Puissance - Max
    125mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-665
  • Autres noms
    UP01213G0LTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    150MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
VJ0402D0R2DLXAJ

VJ0402D0R2DLXAJ

La description: CAP CER 0.2PF 25V C0G/NP0 0402

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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