UNR411F00A

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Spécifications

Modèle de produit

UNR411F00A
Fabricant / marque

Panasonic
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

UNR411F00A.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type

PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur

NS-B1
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

4.7 kOhms
Puissance - Max

300mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

NS-B1
Autres noms

UN411F-(TA)
UNR411F00ATB
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

80MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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UNR421100A

La description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

Fabricant: Panasonic

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