UNR211E00L

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Spécifications

Modèle de produit

UNR211E00L
Fabricant / marque

Panasonic
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

UNR211E00L.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type

PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur

Mini3-G1
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

22 kOhms
Résistance - Base (R1)

47 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

UN211E-(TX)
UN211E-TX
UN211ETR
UN211ETR-ND
UNR211E00LTR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

150MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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La description: TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

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