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DRA3143X0L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DRA3143X0L
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SSSMINI3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DRA3143X0L.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SSSMini3-F2-B
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    SOT-723
  • Autres noms
    DRA3143X0LCT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    11 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SSSMini3-F2-B
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    DRA3143

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KC3225K80.0000C1GE00

KC3225K80.0000C1GE00

La description: OSC XO 80.0000MHZ CMOS SMD

Fabricant: AVX Corporation
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