DRA2L14Y0L

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Spécifications

Modèle de produit

DRA2L14Y0L
Fabricant / marque

Panasonic
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DRA2L14Y0L.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 330µA, 50mA
Transistor Type

PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur

Mini3-G3-B
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

10 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

DRA2L14Y0L-ND
DRA2L14Y0LTR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

DRA2L14

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DRA2533Q0L

La description: TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

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