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DMG214010R

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMG214010R
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMG214010R.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA
  • Transistor Type
    1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
  • Package composant fournisseur
    Mini6-G4-B
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    -
  • Puissance - Max
    300mW
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    SOT-23-6
  • Autres noms
    DMG214010RDKR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    11 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    150MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA 150MHz 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA, 100µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    DMG21401

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La description: CAP ALUM 560UF 20% 200V SNAP

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
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