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2SK327700L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    2SK327700L
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    U-G1
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 Ohm @ 1.25A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1W (Ta), 10W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    U-G1
  • Autres noms
    2SK327700LTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    170pF @ 20V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    200V
  • Description détaillée
    N-Channel 200V 2.5A (Tc) 1W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount U-G1
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    2.5A (Tc)
SSL33 V6G

SSL33 V6G

La description: DIODE SCHOTTKY 3A 30V DO-214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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