2SD11990S

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Spécifications

Modèle de produit

2SD11990S
Fabricant / marque

Panasonic
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2SD11990S.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

M-A1
Séries

-
Puissance - Max

400mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

3-SIP
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

120MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 50mA 120MHz 400mW Through Hole M-A1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

600 @ 2mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50mA

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Ce qui suit est des produits liés à "2SD11990S".

2SD106AI-17 UL

La description: IC DUAL GATE DRIVER 6A

Fabricant: Power Integrations

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