2SC33120RA

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Spécifications

Modèle de produit

2SC33120RA
Fabricant / marque

Panasonic
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 55V 0.1A NS-B1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SC33120RA.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

55V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 10mA, 100mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

NS-B1
Séries

-
Puissance - Max

300mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

NS-B1
Autres noms

2SC33120RACT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

200MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 55V 100mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

2SC3312

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "2SC33120RA".

2SC3225,T6ALPSF(M

La description: TRANS NPN 2A 40V TO226-3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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