2SA1309ARA

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Spécifications

Modèle de produit

2SA1309ARA
Fabricant / marque

Panasonic
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SA1309ARA.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

NS-B1
Séries

-
Puissance - Max

300mW
Emballage

Tape & Box (TB)
Package / Boîte

NS-B1
Autres noms

2SA1309A-R(TA)
2SA1309ARATB
2SA1309ARTA
2SA1309ARTB
2SA1309ARTB-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

80MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

2SA1309

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2SA1298-Y,LF

La description:

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

En stock

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