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PUMH2,115

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Spécifications
  • Modèle de produit
    PUMH2,115
  • Fabricant / marque
    Nexperia
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    PUMH2,115.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    6-TSSOP
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms
  • Puissance - Max
    300mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Autres noms
    1727-1743-2
    568-11286-2
    568-11286-2-ND
    934055787115
    PUMH2 T/R
    PUMH2 T/R-ND
    PUMH2,115-ND
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    1µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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