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PMV130ENEAR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    PMV130ENEAR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-236AB (SOT23)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    460mW (Ta), 5W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    1727-2299-2
    568-12585-2
    568-12585-2-ND
    934067623215
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    170pF @ 20V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    3.6nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 2.1A (Ta) 460mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    2.1A (Ta)

Aperçu

PMV130ENEAR Aperçu

PMV130ENEAR MOSFET canal N |Composants Futuretech


Le PMV130ENEAR est un MOSFET à tranchée à canal N compact et à haut rendement de Nexperia, conçu pour les applications de commutation de charge et de convertisseur DC-DC.Doté d'une faible résistance à l'état passant et d'une vitesse de commutation rapide, il offre d'excellentes performances thermiques et une excellente efficacité énergétique.Disponible dès maintenant chez Futuretech Components, garantissant un approvisionnement vérifié et une qualité fiable.


FAQ PMV130ENEAR

Qu'est-ce que le PMV130ENEAR ?

Le PMV130ENEAR est un MOSFET à tranchée en mode amélioration à canal N fabriqué par Nexperia.Il offre un faible RDS(activé) d'environ 50 mΩ à VGS= 4,5 V, prend en charge un courant de drain jusqu'à 3,3 A et fonctionne avec une tension drain-source (VDS) de 30V.Son petit boîtier SOT-23 permet une utilisation efficace de l'espace sur la carte tout en conservant des performances électriques supérieures.

Comment fonctionne le PMV130ENEAR ?

Ce MOSFET fonctionne comme un commutateur électronique efficace.Lorsqu'une tension de grille positive est appliquée, elle forme un canal conducteur entre le drain et la source, permettant au courant de circuler avec une résistance minimale.Sa faible charge de grille (~6 nC) permet une commutation à grande vitesse, idéale pour la gestion de l'alimentation et l'électronique portable.


Quel paquet et quelle configuration de broches le PMV130ENEAR possède-t-il ?

Le PMV130ENEAR est livré dans le boîtier SOT-23 (montage en surface), avec les broches suivantes :
Porte (G) – Contrôle le canal de conduction
Drain (D) – Se connecte à la charge ou à la sortie
Source (S) – Terre ou chemin de retour
Cette configuration prend en charge des configurations de circuits imprimés compactes et une dissipation thermique efficace.

Quels sont les avantages et les limites du PMV130ENEAR ?

Avantages :
Faible RDS(activé) pour une perte de conduction minimale
Commutation rapide avec une faible charge de grille
Boîtier compact SOT-23
Compatibilité des commandes de porte au niveau logique
Haute efficacité dans les circuits basse tension

Inconvénients :
Limité à un courant de drain de ~ 3,3 A
Ne convient pas aux applications haute tension
Nécessite une dissipation thermique adéquate sur le PCB

Quelles sont les alternatives au PMV130ENEAR ?

Les MOSFET alternatifs à canal N incluent :
IRLML6344 (Infineon)
Si2302DS (Vishay)
BSS138 (sur semi-conducteur)
FDN306P (SUR Semi-conducteur)
Ces options offrent des performances et une compatibilité des broches comparables.

Quelles sont les applications courantes du PMV130ENEAR ?

Le PMV130ENEAR est couramment utilisé dans les convertisseurs DC-DC, les commutateurs de charge, les circuits de gestion de batterie, les appareils électroniques portables et les conceptions de pilotes de LED.Sa taille compacte, son rendement élevé et sa fiabilité le rendent idéal pour les applications modernes basse tension et haute fréquence.

Conclusion

Pour des MOSFET PMV130ENEAR vérifiés et authentiques, achetez directement auprès de Futuretech Components – votre distributeur de confiance de composants électroniques de haute qualité avec une fiabilité d'approvisionnement mondiale.Futuretech Components offre une livraison rapide en Asie du Sud-Est/Europe/Amérique du Nord.

PMV130ENEAR Aperçu

PMV130ENEAR MOSFET canal N |Composants Futuretech


Le PMV130ENEAR est un MOSFET à tranchée à canal N compact et à haut rendement de Nexperia, conçu pour les applications de commutation de charge et de convertisseur DC-DC.Doté d'une faible résistance à l'état passant et d'une vitesse de commutation rapide, il offre d'excellentes performances thermiques et une excellente efficacité énergétique.Disponible dès maintenant chez Futuretech Components, garantissant un approvisionnement vérifié et une qualité fiable.


FAQ PMV130ENEAR

Qu'est-ce que le PMV130ENEAR ?

Le PMV130ENEAR est un MOSFET à tranchée en mode amélioration à canal N fabriqué par Nexperia.Il offre un faible RDS(activé) d'environ 50 mΩ à VGS= 4,5 V, prend en charge un courant de drain jusqu'à 3,3 A et fonctionne avec une tension drain-source (VDS) de 30V.Son petit boîtier SOT-23 permet une utilisation efficace de l'espace sur la carte tout en conservant des performances électriques supérieures.

Comment fonctionne le PMV130ENEAR ?

Ce MOSFET fonctionne comme un commutateur électronique efficace.Lorsqu'une tension de grille positive est appliquée, elle forme un canal conducteur entre le drain et la source, permettant au courant de circuler avec une résistance minimale.Sa faible charge de grille (~6 nC) permet une commutation à grande vitesse, idéale pour la gestion de l'alimentation et l'électronique portable.


Quel paquet et quelle configuration de broches le PMV130ENEAR possède-t-il ?

Le PMV130ENEAR est livré dans le boîtier SOT-23 (montage en surface), avec les broches suivantes :
Porte (G) – Contrôle le canal de conduction
Drain (D) – Se connecte à la charge ou à la sortie
Source (S) – Terre ou chemin de retour
Cette configuration prend en charge des configurations de circuits imprimés compactes et une dissipation thermique efficace.

Quels sont les avantages et les limites du PMV130ENEAR ?

Avantages :
Faible RDS(activé) pour une perte de conduction minimale
Commutation rapide avec une faible charge de grille
Boîtier compact SOT-23
Compatibilité des commandes de porte au niveau logique
Haute efficacité dans les circuits basse tension

Inconvénients :
Limité à un courant de drain de ~ 3,3 A
Ne convient pas aux applications haute tension
Nécessite une dissipation thermique adéquate sur le PCB

Quelles sont les alternatives au PMV130ENEAR ?

Les MOSFET alternatifs à canal N incluent :
IRLML6344 (Infineon)
Si2302DS (Vishay)
BSS138 (sur semi-conducteur)
FDN306P (SUR Semi-conducteur)
Ces options offrent des performances et une compatibilité des broches comparables.

Quelles sont les applications courantes du PMV130ENEAR ?

Le PMV130ENEAR est couramment utilisé dans les convertisseurs DC-DC, les commutateurs de charge, les circuits de gestion de batterie, les appareils électroniques portables et les conceptions de pilotes de LED.Sa taille compacte, son rendement élevé et sa fiabilité le rendent idéal pour les applications modernes basse tension et haute fréquence.

Conclusion

Pour des MOSFET PMV130ENEAR vérifiés et authentiques, achetez directement auprès de Futuretech Components – votre distributeur de confiance de composants électroniques de haute qualité avec une fiabilité d'approvisionnement mondiale.Futuretech Components offre une livraison rapide en Asie du Sud-Est/Europe/Amérique du Nord.
PMV2-3FB-3K

PMV2-3FB-3K

La description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU

Fabricant: Panduit
En stock
PMV2-3RB-3K

PMV2-3RB-3K

La description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP

Fabricant: Panduit
En stock
PMV170UN,215

PMV170UN,215

La description: MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale
En stock
PMV160UP,215

PMV160UP,215

La description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB

Fabricant: Nexperia
En stock
PMV160UPVL

PMV160UPVL

La description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB

Fabricant: Nexperia
En stock
PMV16UN,215

PMV16UN,215

La description: MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale
En stock
PMV120ENEAR

PMV120ENEAR

La description:

Fabricant: Nexperia
En stock
PMV100XPEAR

PMV100XPEAR

La description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB

Fabricant: Nexperia
En stock
PMV117EN,215

PMV117EN,215

La description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale
En stock
PMV1-6RB-CY

PMV1-6RB-CY

La description: CONN RING CIRC 18-22AWG M6 CRIMP

Fabricant: Panduit
En stock
PMV2-3FB-C

PMV2-3FB-C

La description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU

Fabricant: Panduit
En stock
PMV1216GY

PMV1216GY

La description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

Fabricant: Hammond Manufacturing
En stock
PMV2-35RB-3K

PMV2-35RB-3K

La description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3.5

Fabricant: Panduit
En stock
PMV1-P12B-3K

PMV1-P12B-3K

La description: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG

Fabricant: Panduit
En stock
PMV16XNR

PMV16XNR

La description:

Fabricant: Nexperia
En stock
PMV185XN,215

PMV185XN,215

La description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale
En stock
PMV100ENEAR

PMV100ENEAR

La description: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

Fabricant: Nexperia
En stock
PMV130ENEA/DG/B2R

PMV130ENEA/DG/B2R

La description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Fabricant: Nexperia
En stock
PMV1-P10-CY

PMV1-P10-CY

La description: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG

Fabricant: Panduit
En stock
PMV1-6RB-XY

PMV1-6RB-XY

La description: CONN RING CIRC 18-22AWG M6 CRIMP

Fabricant: Panduit
En stock

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