PMV130ENEAR MOSFET canal N |Composants Futuretech
Le PMV130ENEAR est un MOSFET à tranchée à canal N compact et à haut rendement de Nexperia, conçu pour les applications de commutation de charge et de convertisseur DC-DC.Doté d'une faible résistance à l'état passant et d'une vitesse de commutation rapide, il offre d'excellentes performances thermiques et une excellente efficacité énergétique.Disponible dès maintenant chez Futuretech Components, garantissant un approvisionnement vérifié et une qualité fiable.
FAQ PMV130ENEAR
Qu'est-ce que le PMV130ENEAR ?
Le PMV130ENEAR est un MOSFET à tranchée en mode amélioration à canal N fabriqué par Nexperia.Il offre un faible RDS(activé) d'environ 50 mΩ à VGS= 4,5 V, prend en charge un courant de drain jusqu'à 3,3 A et fonctionne avec une tension drain-source (VDS) de 30V.Son petit boîtier SOT-23 permet une utilisation efficace de l'espace sur la carte tout en conservant des performances électriques supérieures.Comment fonctionne le PMV130ENEAR ?
Ce MOSFET fonctionne comme un commutateur électronique efficace.Lorsqu'une tension de grille positive est appliquée, elle forme un canal conducteur entre le drain et la source, permettant au courant de circuler avec une résistance minimale.Sa faible charge de grille (~6 nC) permet une commutation à grande vitesse, idéale pour la gestion de l'alimentation et l'électronique portable.Quel paquet et quelle configuration de broches le PMV130ENEAR possède-t-il ?
Le PMV130ENEAR est livré dans le boîtier SOT-23 (montage en surface), avec les broches suivantes :Porte (G) – Contrôle le canal de conduction
Drain (D) – Se connecte à la charge ou à la sortie
Source (S) – Terre ou chemin de retour
Cette configuration prend en charge des configurations de circuits imprimés compactes et une dissipation thermique efficace.
Quels sont les avantages et les limites du PMV130ENEAR ?
Avantages :Faible RDS(activé) pour une perte de conduction minimale
Commutation rapide avec une faible charge de grille
Boîtier compact SOT-23
Compatibilité des commandes de porte au niveau logique
Haute efficacité dans les circuits basse tension
Inconvénients :
Limité à un courant de drain de ~ 3,3 A
Ne convient pas aux applications haute tension
Nécessite une dissipation thermique adéquate sur le PCB
Quelles sont les alternatives au PMV130ENEAR ?
Les MOSFET alternatifs à canal N incluent :IRLML6344 (Infineon)
Si2302DS (Vishay)
BSS138 (sur semi-conducteur)
FDN306P (SUR Semi-conducteur)
Ces options offrent des performances et une compatibilité des broches comparables.



