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PDTD143ETR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    PDTD143ETR
  • Fabricant / marque
    Nexperia
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    PDTD143ETR.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    100mV @ 2.5mA, 50mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    TO-236AB (SOT23)
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    320mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    1727-8166-2
    934068349215
    PDTD143ETR-ND
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    225MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 225MHz 320mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    60 @ 50mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    500mA

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CDR33BX104AMMMAR

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La description: CAP CER 0.1UF 50V BX 1210

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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