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PDTB114EUX

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Spécifications
  • Modèle de produit
    PDTB114EUX
  • Fabricant / marque
    Nexperia
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    PDTB114EUX.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    100mV @ 2.5mA, 50mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SOT-323-3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    10 kOhms
  • Puissance - Max
    300mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-70, SOT-323
  • Autres noms
    934068339115
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    140MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 140MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    70 @ 50mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    500mA

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RN55E4530DRSL

RN55E4530DRSL

La description: RES 453 OHM 1/8W .5% AXIAL

Fabricant: Dale / Vishay
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