VJ647M

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Spécifications

Modèle de produit

VJ647M
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOD BRIDGE RECT 10A 660-1100V
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

VJ647M.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

1.1kV
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.3V @ 1A
La technologie

Avalanche
Package composant fournisseur

VJ
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

4-Square, VJ
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Single Phase
Description détaillée

Bridge Rectifier Single Phase Avalanche 1.1kV Through Hole VJ
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 1100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

10A

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "VJ647M".

KBP10M

La description: IC BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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